• 35ns(x)
• 46ns(x)
• 48ns(x)
• 57ns(x)
• 63ns(x)
• 64.5ns(x)
• 70ns(x)
• 100ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(9)

ONSEMI(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(1)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(9)

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

48W(1)

79W(1)

110W(1)

140W(1)

150W(1)

200W(2)

280W(1)

300W(2)

310W(1)

Ładunek bramki

28nC(1)

38.7nC(1)

42nC(1)

47.3nC(1)

61nC(1)

66.7nC(1)

106.7nC(1)

113.3nC(1)

180nC(1)

234nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.29Ω(1)

1.2Ω(1)

4.5mΩ(1)

8mΩ(1)

13mΩ(1)

25mΩ(1)

40mΩ(2)

44mΩ(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-100V(2)

55V(1)

75V(2)

100V(2)

200V(2)

600V(1)

Prąd drenu (A)

-14A(1)

-15A(1)

-31A(1)

7.5A(1)

30A(2)

33A(1)

57A(1)

82A(1)

98A(1)

170A(1)

Czas załączania

11ns(1)

13ns(1)

14ns(3)

15ns(1)

16.5ns(1)

16ns(1)

17ns(2)

19ns(1)

Czas narastania

35ns(1)

58ns(1)

59ns(1)

60.5ns(1)

60ns(2)

64ns(1)

66ns(1)

73ns(1)

100ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

34ns(1)

39ns(2)

43ns(1)

45ns(1)

49ns(1)

55ns(2)

58ns(1)

81ns(1)

97ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(11)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(3)

TO220F(1)

TO247AC(6)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Tuba(1)

Price

-