• 4.0ns(x)
• 5.5ns(x)
• 35ns(x)
• 40ns(x)
• 41ns(x)
• 44ns(x)
• 110ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(9)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(9)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (9)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(2)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(9)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

68W(1)

140W(1)

150W(2)

160W(3)

190W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

21nC(1)

23.3nC(1)

44.7nC(2)

47.3nC(1)

73.3nC(1)

110nC(2)

150nC(1)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(9)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.4Ω(1)

0.15Ω(2)

5.3mΩ(1)

12mΩ(1)

36mΩ(3)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

30V(1)

55V(1)

100V(4)

200V(2)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-19A(1)

8.7A(1)

11A(1)

18A(2)

30A(2)

33A(1)

42A(1)

133A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

10ns(2)

11ns(4)

13ns(2)

17ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

19ns(2)

35ns(1)

47ns(1)

55ns(1)

56ns(3)

190ns(1)

Czas wyłączania

19ns(1)

23ns(2)

30ns(1)

39ns(1)

45ns(3)

92ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(5)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-