• 8.6ns(x)
• 31ns(x)
• 40ns(x)
• 46ns(x)
• 57ns(x)
• 110ns(x)
• 120ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

P-MOSFET (2)

Montaż

SMD(1)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

79W(1)

160W(3)

170W(1)

190W(1)

200W(1)

280W(1)

Ładunek bramki

38.7nC(1)

41nC(1)

61nC(1)

70nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(1)

110nC(2)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.29Ω(1)

5.3mΩ(1)

12mΩ(1)

13.4mΩ(1)

19.7mΩ(1)

36mΩ(3)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(2)

55V(1)

60V(1)

80V(1)

100V(3)

200V(1)

Prąd drenu (A)

-14A(1)

-15A(1)

10A(1)

30A(2)

42A(1)

65A(1)

81A(1)

133A(1)

Czas załączania

9.4ns(1)

11ns(3)

13ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

33ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

20ns(1)

56ns(3)

58ns(1)

73ns(1)

140ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

21ns(1)

34ns(1)

45ns(4)

68ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(9)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(5)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Tuba(1)

Price

-