• ±20V(x)
• 5.5ns(x)
• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 14ns(x)
• 41ns(x)
• 51ns(x)
• 57ns(x)
• 96ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(4)

MOSFET z kanałem P(6)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Tranzystory z kanałem P THT(6)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(9)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (4)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (6)

Montaż

SMD(4)

THT(7)

Technologia

HEXFET®(9)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(1)

68W(1)

74W(1)

79W(1)

140W(1)

150W(2)

200W(2)

280W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

25nC(1)

35nC(1)

38nC(1)

44.7nC(2)

61nC(1)

64.7nC(2)

120nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.2Ω(1)

0.15Ω(2)

0.117Ω(2)

1.5Ω(1)

20mΩ(2)

44mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(3)

-100V(3)

30/-30V(1)

150V(1)

200V(2)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-15A(1)

-19A(1)

-23A(2)

-74A(2)

2.9A(1)

4/-3A(1)

5.1A(1)

18A(2)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9ns(1)

10ns(3)

13ns(1)

15ns(2)

16ns(1)

18ns(2)

Czas narastania

10ns(1)

15ns(1)

19ns(2)

21ns/17ns(N/P)(1)

55ns(1)

67ns(2)

73ns(1)

99ns(2)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(2)

29ns(1)

30ns(1)

34ns(1)

38ns(1)

51ns(2)

61ns(2)

Czas zanikania

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(4)

25ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

81ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(11)

Obudowa

D2PAK(2)

SO8(2)

TO220AB(5)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Price

-