• HEXFET®(x)
• 22/23nC(x)
• 25nC(x)
• 35nC(x)
• 41nC(x)
• 66nC(x)
• 86.7nC(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(3)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(2)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(6)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

N/P-MOSFET(2)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(4)

THT(2)

Technologia

HEXFET®(6)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(2)

2W(1)

110W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

21nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

25nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

47.3nC(1)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

146nC(1)

150nC(1)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(6)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.29Ω(1)

13.4mΩ(1)

23mΩ(1)

29/58mΩ(1)

44mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-150V(1)

30/-30V(2)

80V(1)

100V(1)

150V(1)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

4/-3A(1)

5.1A(1)

6.5/-4.9A(1)

10A(1)

57A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

9.4ns(1)

9ns(1)

12ns(1)

14ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

36ns(1)

58ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

29ns(1)

45ns(1)

53ns(1)

Czas zanikania

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

37ns(1)

47ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(6)

Obudowa

SO8(4)

TO220AB(2)

Rodzaj opakowania

Luz(6)

Price

-