• HEXFET®(x)
• 8.9ns/13ns(N/P)(x)
• 16ns(x)
• 35ns(x)
• 43ns(x)
• 64ns(x)
• 78ns(x)
• 140ns(x)
• 140ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(9)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(9)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(10)

Typ tranzystora

N-MOSFET (9)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(2)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(10)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

140W(1)

150W(1)

170W(2)

200W(2)

214W(1)

310W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

47.3nC(1)

86.6nC(2)

106.7nC(2)

123nC(2)

180nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

Rezystancja w stanie przewodzenia

4.5mΩ(1)

8mΩ(1)

12mΩ(2)

13mΩ(2)

29/58mΩ(1)

44mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

60V(2)

75V(3)

100V(1)

200V(2)

300V(1)

Prąd drenu (A)

6.5/-4.9A(1)

30A(2)

33A(1)

70A(1)

81A(2)

82A(2)

170A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

11ns(1)

12ns(1)

13ns(2)

14ns(2)

16ns(1)

19ns(1)

24ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

14ns(1)

16ns(1)

19ns(2)

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(2)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(1)

60ns(2)

64ns(2)

66ns(1)

67ns(3)

78ns(1)

86ns(1)

99ns(2)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

39ns(1)

41ns(2)

48ns(1)

49ns(2)

62ns(1)

68ns(1)

97ns(1)

Czas zanikania

17ns/32ns(N/P)(1)

33ns(2)

35ns(1)

45ns(1)

48ns(1)

50ns(1)

53ns(1)

100ns(1)

120ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(4)

TO247AC(3)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-