• HEXFET®(x)
• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 8.6ns(x)
• 14ns(x)
• 35ns(x)
• 84ns(x)
• 110ns(x)
• 260ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(3)

THT(5)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(2)

140W(1)

200W(1)

517W(1)

520W(2)

Ładunek bramki

25nC(1)

35nC(1)

41nC(1)

47.3nC(1)

151nC(1)

170nC(1)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(7)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

1.46mΩ(1)

2.0mΩ(1)

4.8mΩ(1)

5.3mΩ(1)

13.4mΩ(1)

44mΩ(2)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

55V(1)

75V(1)

80V(1)

100V(2)

150V(2)

Prąd drenu (A)

4/-3A(1)

5.1A(1)

10A(1)

33A(1)

133A(1)

171A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9.4ns(1)

9ns(1)

11ns(1)

13ns(1)

27ns(1)

43ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

10ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

35ns(1)

119ns(1)

190ns(1)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

29ns(1)

39ns(1)

47ns(1)

130ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

37ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(1)

51ns(2)

53ns(1)

63ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

SO8(3)

TO220AB(2)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-