• 2.5ns(x)
• 8.5ns(x)
• 8.6ns(x)
• 8.9ns/13ns(N/P)(x)
• 44ns(x)
• 60.5ns(x)
• 119ns(x)
• 140ns(x)
• 140ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(6)

ONSEMI(1)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(3)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(6)

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(2)

2W(1)

48W(1)

50W(1)

150W(1)

170W(1)

310W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

21nC(1)

22/23nC(1)

24nC(1)

28nC(1)

41nC(1)

72nC(1)

86.6nC(1)

151nC(1)

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(6)

±30V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

1.2Ω(1)

3Ω(1)

4.5mΩ(1)

4.8mΩ(1)

12mΩ(2)

13.4mΩ(1)

29/58mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

30V(1)

60V(1)

75V(1)

80V(1)

100V(1)

150V(1)

500V(1)

600V(1)

Prąd drenu (A)

1.6A(1)

6.5/-4.9A(1)

7.5A(1)

10A(1)

11A(1)

20A(1)

81A(1)

170A(1)

171A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

8ns(1)

9.4ns(1)

11ns(1)

16.5ns(1)

16ns(1)

19ns(1)

27ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.6ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(3)

34ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(4)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(3)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

66ns(1)

67ns(3)

73ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

86ns(1)

99ns(3)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

33ns(1)

47ns(1)

53ns(1)

68ns(1)

81ns(1)

97ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

8.6ns(1)

16ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

43ns(1)

64.5ns(1)

84ns(1)

100ns(1)

120ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(9)

Obudowa

SO8(3)

TO220AB(3)

TO220F(1)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Tuba(1)

Price

-