• 2.5ns(x)
• 8.6ns(x)
• 8.9ns/13ns(N/P)(x)
• 27ns(x)
• 58ns(x)
• 86ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(5)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(3)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(5)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

2W(1)

50W(1)

74W(1)

79W(1)

125W(2)

200W(2)

Ładunek bramki

21nC(1)

22/23nC(1)

24nC(1)

29nC(1)

38.7nC(1)

63nC(2)

86.7nC(1)

120nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(8)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.8Ω(1)

0.29Ω(1)

0.55Ω(2)

3Ω(1)

12mΩ(1)

23mΩ(1)

29/58mΩ(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(2)

-200V(1)

30/-30V(1)

30V(1)

100V(1)

400V(2)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-14A(1)

-40A(1)

1.6A(1)

6.3A(1)

6.5/-4.9A(1)

10A(1)

11A(1)

57A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

8ns(1)

12ns(2)

14ns(2)

15ns(1)

17ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.6ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(3)

34ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(4)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(3)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

66ns(1)

67ns(3)

73ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

86ns(1)

99ns(3)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

19ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

28ns(1)

33ns(1)

45ns(2)

50ns(2)

79ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

16ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(3)

46ns(1)

47ns(1)

81ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(9)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(2)

TO220AB(6)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Tuba(1)

Price

-