• 38ns(x)
• 45ns(x)
• 50ns(x)
• 53ns(x)
• 61ns(x)
• 71ns(x)
• 79ns(x)
• 130ns(x)
• TO220AB(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

P-MOSFET (4)

Montaż

THT(12)

Technologia

HEXFET®(8)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

74W(1)

79W(1)

110W(1)

125W(2)

150W(1)

160W(1)

200W(5)

Ładunek bramki

38.7nC(1)

38nC(1)

63nC(1)

66nC(1)

70nC(1)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.7nC(1)

120nC(2)

133.3nC(1)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(12)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.18Ω(1)

0.29Ω(2)

0.55Ω(1)

1.5Ω(1)

5.3mΩ(1)

20mΩ(1)

23mΩ(1)

36mΩ(1)

42mΩ(1)

60mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-100V(2)

-150V(1)

55V(1)

100V(3)

150V(1)

200V(1)

400V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

-14A(1)

-40A(1)

-74A(1)

2.9A(1)

10A(1)

11A(1)

20A(1)

42A(2)

57A(1)

133A(1)

Czas załączania

10ns(1)

11ns(2)

12ns(2)

13ns(1)

14ns(3)

15ns(1)

17ns(1)

18ns(1)

Czas narastania

15ns(1)

27ns(1)

36ns(1)

44ns(1)

51ns(1)

55ns(1)

56ns(1)

58ns(2)

86ns(1)

99ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

21ns(1)

23ns(3)

26ns(1)

27ns(1)

28ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(3)

42ns(1)

45ns(4)

46ns(1)

48ns(1)

49ns(1)

50ns(1)

51ns(1)

53ns(2)

61ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

79ns(1)

130ns(1)

150ns(1)

Czas zanikania

14ns(1)

24ns(1)

36ns(1)

37ns(1)

40ns(1)

43ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

69ns(1)

81ns(1)

96ns(1)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(3)

TO220AB(12)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Tuba(1)

Price

-