• 14ns(x)
• 17ns/32ns(N/P)(x)
• 37ns(x)
• 43ns(x)
• 50ns(x)
• 51ns(x)
• 69ns(x)
• 74ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(9)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(9)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(1)

2W(1)

45W(1)

74W(1)

79W(1)

110W(1)

140W(1)

150W(1)

190W(1)

200W(2)

520W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

22/23nC(1)

35nC(1)

38nC(1)

64.7nC(2)

66nC(1)

72nC(1)

106.7nC(1)

133.3nC(1)

140nC(1)

161nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.14Ω(1)

0.29Ω(1)

0.117Ω(2)

0.175Ω(1)

1.5Ω(1)

8mΩ(1)

13mΩ(1)

29/58mΩ(1)

42mΩ(1)

44mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-100V(2)

-150V(1)

30/-30V(1)

75V(1)

100V(1)

150V(2)

200V(1)

250V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-13A(1)

-23A(2)

2.9A(1)

5.1A(1)

6.5/-4.9A(1)

20A(1)

23A(1)

42A(1)

82A(1)

130A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

9ns(1)

10ns(1)

11ns(1)

12ns(1)

13ns(2)

14ns(1)

15ns(3)

41ns(1)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

15ns(1)

36ns(1)

44ns(1)

55ns(2)

63ns(1)

64ns(1)

67ns(2)

105ns(1)

Czas wyłączania

23ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

29ns(1)

38ns(1)

49ns(1)

51ns(2)

53ns(2)

64ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

SO8(2)

TO220AB(7)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(12)

Price

-