• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 36ns(x)
• 48ns(x)
• 50ns(x)
• 63ns(x)
• 96ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(9)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(9)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (9)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(4)

THT(9)

Technologia

HEXFET®(9)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

110W(1)

125W(1)

130W(1)

150W(1)

190W(1)

200W(5)

300W(2)

Ładunek bramki

25nC(1)

42nC(1)

66.7nC(1)

70nC(3)

106.7nC(2)

120nC(2)

140nC(1)

234nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(13)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.14Ω(1)

0.18Ω(3)

13mΩ(2)

20mΩ(2)

25mΩ(1)

40mΩ(2)

50/100mΩ(1)

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(3)

30/-30V(1)

75V(2)

100V(1)

200V(5)

250V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-31A(1)

-74A(2)

4/-3A(1)

11A(2)

23A(1)

30A(2)

57A(1)

82A(2)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

13ns(2)

14ns(5)

15ns(1)

17ns(2)

18ns(2)

Czas narastania

21ns/17ns(N/P)(1)

51ns(3)

59ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

66ns(1)

99ns(2)

Czas wyłączania

22ns/25ns(N/P)(1)

39ns(1)

45ns(3)

49ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

74ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(13)

Obudowa

D2PAK(3)

SO8(1)

TO220AB(4)

TO247AC(5)

Rodzaj opakowania

Luz(13)

Price

-