• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 8.6ns(x)
• 14ns(x)
• 31ns(x)
• 36ns(x)
• 40ns(x)
• 110ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(11)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(3)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (11)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(4)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(2)

74W(1)

125W(1)

130W(1)

150W(1)

160W(3)

190W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

25nC(1)

35nC(1)

38nC(1)

41nC(1)

70nC(4)

73.3nC(1)

110nC(2)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(11)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.18Ω(3)

1.5Ω(1)

5.3mΩ(1)

13.4mΩ(1)

19.7mΩ(1)

36mΩ(3)

44mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

55V(1)

80V(1)

100V(3)

150V(1)

200V(4)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

2.9A(1)

4/-3A(1)

5.1A(1)

10A(1)

11A(2)

30A(2)

42A(1)

65A(1)

133A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

9.4ns(1)

9ns(1)

10ns(1)

11ns(3)

13ns(1)

14ns(3)

33ns(1)

Czas narastania

8.5ns(1)

10ns(1)

15ns(1)

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

51ns(3)

56ns(3)

190ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

29ns(1)

38ns(1)

45ns(6)

130ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(3)

TO220AB(5)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Tuba(1)

Price

-