• ±20V(x)
• 34ns(x)
• 45ns(x)
• 49ns(x)
• 130ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(10)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(9)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(8)

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (10)

P-MOSFET (2)

Montaż

SMD(2)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(8)

Moc rozpraszana (W)

79W(1)

125W(1)

130W(1)

150W(1)

160W(3)

200W(4)

280W(1)

Ładunek bramki

38.7nC(1)

61nC(1)

70nC(3)

73.3nC(1)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(12)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.18Ω(3)

0.29Ω(1)

5.3mΩ(1)

13mΩ(2)

23mΩ(1)

36mΩ(3)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(2)

55V(1)

75V(2)

100V(4)

200V(3)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-14A(1)

-15A(1)

11A(2)

30A(2)

42A(1)

57A(1)

82A(2)

133A(1)

Czas załączania

11ns(3)

12ns(1)

13ns(3)

14ns(3)

15ns(1)

16ns(1)

Czas narastania

51ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

64ns(2)

73ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

36ns(3)

40ns(3)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

50ns(1)

57ns(1)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(12)

Obudowa

D2PAK(2)

TO220AB(6)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(12)

Price

-