• 30ns(x)
• 43ns(x)
• 45ns(x)
• 55ns(x)
• 62ns(x)
• 97ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(12)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(11)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(11)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (12)

P-MOSFET (2)

Montaż

SMD(1)

THT(13)

Technologia

HEXFET®(11)

Moc rozpraszana (W)

68W(1)

79W(1)

125W(1)

130W(1)

150W(2)

160W(3)

200W(1)

300W(2)

310W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

38.7nC(1)

70nC(3)

73.3nC(1)

86.7nC(1)

110nC(2)

113.3nC(1)

180nC(2)

234nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(14)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.18Ω(3)

0.29Ω(1)

4.5mΩ(1)

8mΩ(2)

23mΩ(1)

36mΩ(3)

40mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-100V(1)

55V(1)

75V(1)

100V(4)

200V(5)

300V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-14A(1)

-19A(1)

11A(2)

30A(4)

42A(1)

57A(1)

70A(1)

98A(1)

170A(1)

Czas załączania

11ns(3)

12ns(1)

13ns(1)

14ns(4)

15ns(1)

17ns(2)

19ns(1)

24ns(1)

Czas narastania

16ns(1)

51ns(3)

55ns(1)

56ns(3)

58ns(2)

60ns(2)

100ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

23ns(4)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

28ns(1)

29ns(1)

30ns(1)

33ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

38ns(1)

39ns(4)

41ns(2)

42ns(1)

43ns(1)

45ns(8)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

49ns(2)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(2)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

62ns(1)

64ns(1)

68ns(1)

71ns(1)

74ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

81ns(1)

92ns(1)

97ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

150ns(1)

160ns(1)

170ns(1)

Czas zanikania

36ns(3)

40ns(3)

41ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(2)

70ns(1)

100ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(14)

Obudowa

D2PAK(1)

TO220AB(5)

TO247AC(8)

Rodzaj opakowania

Luz(14)

Price

-