• 15ns(x)
• 17ns/32ns(N/P)(x)
• 35ns(x)
• 37ns(x)
• 47ns(x)
• 74ns(x)
• 84ns(x)
• 96ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(5)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(5)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(10)

Typ tranzystora

N-MOSFET (5)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(2)

THT(8)

Technologia

HEXFET®(10)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

45W(1)

82W(1)

110W(1)

140W(1)

200W(3)

517W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(1)

47.3nC(1)

66nC(1)

86.7nC(1)

120nC(2)

151nC(1)

161nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(8)

±30V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.3Ω(1)

0.29Ω(1)

0.175Ω(1)

4.8mΩ(1)

8mΩ(1)

20mΩ(2)

23mΩ(1)

29/58mΩ(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(3)

-150V(1)

30/-30V(1)

100V(2)

150V(1)

200V(2)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-13A(1)

-74A(2)

6.5/-4.9A(1)

9.5A(1)

33A(1)

57A(1)

130A(1)

171A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

11ns(1)

12ns(1)

13ns(1)

14ns(1)

18ns(2)

27ns(1)

41ns(1)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

14ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

55ns(1)

58ns(1)

99ns(2)

105ns(1)

119ns(1)

Czas wyłączania

23ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

27ns(1)

39ns(1)

45ns(1)

47ns(1)

53ns(1)

61ns(2)

64ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(10)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

TO220AB(6)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Price

-