• 5.5ns(x)
• 35ns(x)
• 36ns(x)
• 40ns(x)
• 51ns(x)
• 69ns(x)
• 96ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(10)

MOSFET z kanałem P(4)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Tranzystory z kanałem N THT(9)

Tranzystory z kanałem P THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(11)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (10)

P-MOSFET (4)

Montaż

SMD(3)

THT(11)

Technologia

HEXFET®(11)

Moc rozpraszana (W)

79W(1)

125W(1)

130W(1)

140W(2)

150W(3)

160W(3)

200W(3)

Ładunek bramki

44.7nC(2)

47.3nC(1)

64.7nC(2)

70nC(3)

73.3nC(1)

110nC(2)

120nC(2)

133.3nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(14)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.15Ω(2)

0.18Ω(3)

0.117Ω(2)

20mΩ(2)

36mΩ(3)

42mΩ(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

-100V(2)

100V(4)

150V(1)

200V(5)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

-23A(2)

-74A(2)

11A(2)

18A(2)

30A(2)

33A(1)

42A(2)

Czas załączania

10ns(2)

11ns(4)

12ns(1)

14ns(3)

15ns(2)

18ns(2)

Czas narastania

19ns(2)

35ns(1)

51ns(3)

55ns(1)

56ns(3)

67ns(2)

99ns(2)

Czas wyłączania

23ns(2)

39ns(1)

45ns(6)

51ns(2)

61ns(2)

71ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(14)

Obudowa

D2PAK(3)

TO220AB(7)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(14)

Price

-