• 5.1A(x)
• 6.5/-4.9A(x)
• 11A(x)
• 81A(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(7)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(3)

Tranzystory z kanałem N THT(4)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(5)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (7)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(4)

THT(4)

Technologia

HEXFET®(5)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(2)

2W(1)

125W(2)

130W(1)

170W(2)

Ładunek bramki

21nC(1)

22/23nC(1)

35nC(1)

38nC(1)

70nC(2)

86.6nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(6)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.18Ω(2)

0.85Ω(1)

12mΩ(3)

29/58mΩ(1)

44mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

30V(1)

60V(2)

150V(1)

200V(2)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-12A(2)

-13A(1)

-14A(1)

-15A(1)

-19A(1)

-23A(2)

-31A(1)

-40A(1)

-74A(2)

1.6A(1)

2.9A(2)

4/-3A(1)

5.1A(2)

6.3A(1)

6.5/-4.9A(1)

7.5A(1)

8.7A(1)

9.5A(1)

10A(3)

11A(3)

13A(1)

14A(1)

17A(1)

18A(2)

20A(1)

23A(1)

24A(1)

30A(6)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(2)

65A(1)

70A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(2)

98A(1)

130A(2)

133A(1)

162A(1)

170A(1)

171A(1)

180A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

9ns(1)

11ns(1)

12ns(1)

14ns(2)

16ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

23ns(1)

51ns(2)

78ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

19ns(1)

26ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

29ns(1)

45ns(2)

48ns(1)

68ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

14ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

36ns(2)

53ns(1)

120ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(8)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(3)

TO220AB(4)

Rodzaj opakowania

Luz(8)

Price

-