• 4.0ns(x)
• 8.6ns(x)
• 17ns/32ns(N/P)(x)
• 48ns(x)
• 96ns(x)
• 100ns(x)
• 120ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(11)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (2)

Montaż

SMD(5)

THT(6)

Technologia

HEXFET®(11)

Moc rozpraszana (W)

2.5W(2)

2W(1)

170W(1)

200W(4)

300W(2)

310W(1)

Ładunek bramki

21nC(1)

22/23nC(1)

41nC(1)

66.7nC(1)

86.6nC(1)

106.7nC(1)

120nC(2)

180nC(1)

234nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(10)

Rezystancja w stanie przewodzenia

4.5mΩ(1)

12mΩ(2)

13.4mΩ(1)

13mΩ(1)

20mΩ(2)

25mΩ(1)

29/58mΩ(1)

40mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(2)

30/-30V(1)

30V(1)

60V(1)

75V(2)

80V(1)

100V(1)

200V(2)

Prąd drenu (A)

-74A(2)

6.5/-4.9A(1)

10A(1)

11A(1)

30A(2)

57A(1)

81A(1)

82A(1)

170A(1)

Czas załączania

7.8ns(1)

8.1ns/13ns(N/P)(1)

9.4ns(1)

13ns(1)

14ns(1)

16ns(1)

17ns(2)

18ns(2)

19ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

59ns(1)

60ns(2)

64ns(1)

99ns(2)

140ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

15ns(1)

19ns(1)

26ns/34ns(N/P)(1)

49ns(1)

55ns(2)

58ns(1)

61ns(2)

68ns(1)

97ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(11)

Obudowa

D2PAK(2)

SO8(3)

TO220AB(2)

TO247AC(4)

Rodzaj opakowania

Luz(11)

Price

-